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TMS320C6455 烧写概述

2017-6-12 10:18


以下介绍的是C6455的一种烧写程序的方式,是通过片内运行的程序,将待烧写的程序写入片外FLASH中。

6455的烧写过程涉及三部分的文件:

1.主程序文件:完成所需功能的那部分程序文件,包含main.c。编译后会被编译到.boot_load以后的段, 
主函数被编译到 .cinit段。 
2.搬运程序文件: 完成烧写后,6455上电或复位,会自动将片外flash的头1k字节搬运到片内SRAM, 
并开始执行。这1k字节内的程序,即搬运程序,需要将主程序,从片外FLASH搬运至片内SRAM。 
搬运程序文件由boot.c和boot.asm两部分组成,会被编译到.boot_load 段。 
3.烧写程序文件:它的作用是将被编译下载到片内SRAM后的主程序和搬运程序,烧写到片外FLASH中。 
需要另建一个工程

烧写过程: 
1.建一个工程pro1,包含主程序文件和搬运程序文件。编译通过后,将程序下载到6455内(只下载,不执行). 
查看debug/release目录下map文件,得到程序各段在片内SRAM中的位置。 
eg: 
.boot_load start:00800000 length:000000e0

.cinit start:009e0500 length:00000214

.switch start:009e0714 length:000000e8 
…… 
.csl_vect start:009f2c00 length:00000200

2.另建一个工程pro2,包含烧写程序文件。编写cmd文件,避开pro1已使用的片内SRAM的地址, 
分配烧写程序文件被编译后各段在片内SRAM中地址。在上例中,可以将烧写程序文件被编译后的各段, 
放在0x008000e0-0x009f0500之间的地址。编译下载并运行烧写程序,将之前片内SRAM中已被编译下载的 
0x00800000-0x008000e0和0x009e0500-0x009f2c00间pro1的程序,写入FLASH中,从而完成烧写的过程。 
烧写程序文件main.c中烧写的函数:

//烧写搬运程序 
boot_source= 0x00800000; 
boot_length=0x000000e0; 
for(i = 0; i < boot_length; i++) 
{

    WriteByte(i,*(unsigned char *)( boot_source+i));
    C6455_wait(200);
//烧写主程序 
pragram_source=0x009e0500; 
pragram_length=0x009f2c00 + 0x00000200 -0x009e0500 ; 
for(i = 0; i < pragram_length; i++) 
{

    WriteByte(i+0x400,*(unsigned char *)( pragram_source+i));
    C6455_wait(200);
}

总结:以上只是6455烧写的一种方式的大概过程,让读者有个初步印象,详细过程需要读者进一步探索。

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