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  科技打假?IBM最新EUV系统测试结果遭质疑           ★★★ 【字体:
科技打假?IBM最新EUV系统测试结果遭质疑
作者:61ic    新闻来源:Internet    点击数:    更新时间:2014-8-7    

关键字:IBM  EUV  超紫外光微影  曝光 

IBM最近对自家晶圆厂超紫外光微影扫描机(EUVscanner)所进行的测试,遭到一位产业观察家质疑,认为其结果有刻意误导之嫌──IBM表示测试结果是一项突破,但也坦承测试局限在该EUV系统的某些特定层面。

日前IBM宣布,安装在该公司美国纽约州阿尔巴尼(Albany, N.Y.)晶圆厂的ASML NXE3300B扫描机,以稳定的每小时34片晶圆速率,在24小时之内产出了637片晶圆,且采用的是44W的光源。IBM的EUV开发项目经理Dan Corliss表示,该系统有77%的正常运作时间,并提供跨越每片晶圆83 image fields的全晶圆覆盖20mJ曝光剂量,包括部分裸晶在内。

不过市场研究机构Semiconductor Advisors总经理Robert Maire却针对IBM的结果指出:“这并非EUV印刷的实际测试。”他指出,事实上IBM使用的是无光阻剂(resist)的空白晶圆片,因此并没有任何影像被印出来;没有任何东西经过处理或制造,一切流程只是晶圆片从晶圆搬运盒(FOUP)拿进拿出而已。

Maire并指出,IBM的纽约州厂房甚至没有637片晶圆,他们只是将晶圆片送进机器、再反复回收使用;而IBM唯一证明的事情,是该设备在机械性上能一天搬运637片晶圆,而这是一台有30岁的旧步进机(stepper)也能轻松达到的。

另一个问题则是,IBM所提的20mJ曝光剂量,搭配现有的光阻技术是不足以真正产出可用影像的。而Maire表示,ASML的股价在IBM的测试消息发布之后上涨了14%,这才是该消息发布的真正幕后动机:“IBM与ASML两家公司显然都亟需一些好消息。”

面对以上的批评质疑,IBM的Corliss在一篇BLOG文章中提出响应;他表示:“阻碍EUV应用的主要挑战之一,是光源的功率以及可靠性;成像性能并不是一个主要的忧虑,也能在IBM拥有的NXE3300设备上妥善特征化(characterized),且是健全、可操作的。我们的EUV光源升级旨在改善功率等级以及可靠性,24小时性能测试也是要强调这两个参数。”

Corliss表示,637片晶圆曝光产出量并非测试重点,只是光源在测试期间提升了功率与可靠性,且运作正确的附加产物;他并指出:“在晶圆片上加光阻剂没有任何价值,除了能测试我们的rework 制程如何顺利运作;我们的光源能有如此优良的性能表现是意料之外。”

不过Corliss也表示,IBM的测试结果确实提供了产业界第一份资料,证明目前的光源技术有能离达成近期(每日晶圆曝光)性能目标;而因为测试结果大幅优于以往的测试性能,所以该公司才决定要将此讯息分享给产业界,好让大家能根据该测试结果调整EUV的开发活动:“对IBM与我们的联盟伙伴来说,这也保证了EUV能支持我们的7纳米节点技术开发。”

IBM的代表也透过电子邮件提供了该公司的测试细节,表示其24小时EUV测试的参数设定,是以单光照、单次曝光进行22纳米密集线路(包括水平与垂直)成像:“我们采用20 mJ/cm2的剂量,以及传统的照明形状( illumination shape),我们并没有将影像等级分解为多个光罩,也没有采用SMO解决方案。”

EUV是为下一代芯片印刷精细图案的领先候选技术,不过这项复杂的技术却在实验室待了十几年还无法大量生产;大多数芯片供货商包括IBM在内,都不看好EUV能赶上即将在两年内开始量产的10纳米芯片制程。

对此英特尔(Intel)院士Mark Bohr透过电子邮件接受访问时表示,该公司已经开始研发不采用EUV达成7纳米制程芯片生产的方案:“英特尔已经有方法在不使用EUV的情况下,于10纳米技术节点达成良好的密度与每晶体管成本(cost-per-transistor);我们将继续研究EUV与非EUV选项在7纳米技术节点上的应用。

翻译:Judith Cheng

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